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        公司新聞

        IGBT模塊的應用領域介紹?

        IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),絕緣柵雙極型晶體管,是由是(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵場效應管)組成的復合完全控制電壓驅動型功率半導體器件,具有高輸入阻抗的MOSFET和GTR低導電兩者優點的壓降。GTR飽和壓降低,電流密度,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率小,開關速度快,但傳導電壓降大,載流密度小。
        以優勢的上述兩種器件IGBT、驅動功率小、低飽和電壓。非常適合應用在直流電壓是600 v以上變量流系統,如交流電機、變頻器、開關電源、照明、牽引驅動電路等。
        電壓的IGBT模塊規格和使用的設備輸入電源或試電源電壓是密切相關的。
        之間的關系,看下面的表格。用于當IGBT模塊集電極電流增加,額定損失更大。
        增加同時,開關損耗,加劇了原來的發燒,因此,在選擇IGBT模塊額定電流應大于負載電流。特別是當用于高頻開關,由于開關損耗增加、發熱和選擇應減少在使用等。

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